Forscher von Intel, TSMC, Samsung, IBM, dem belgischen IMEC und der taiwanischen Yang Ming Chiao Tung University sind dabei neue Konzepte für Transistoren zu entwickeln. Die neuen Konzepte sollen künftig in der Fertigungstechnik von Halbleiterbauelementen genutzt werden. Dabei werden Strukturen von weniger als 2 nm (Nanometer) erstehen. Um das zu erreichen wollen die Forscher unter anderem superdünne Kristallstrukturen nutzen.

In den vergangenen Jahren wurden auf Fachkonferenzen wie der IEDM (International Electron Devices Meeting) immer wieder Untersuchungen an "2D"-Materialien aus Übergangsmetalldichalkogeniden (Transitional Metal Dichalcogenides, TMD) vorgestellt. TSMC und Intel planen solche Schichten als leitende Kanäle (Channels) kommender Feldeffekttransistoren (FETs) zu nutzen.

(jl, hannover)

(siehe auch: Heise-News-Ticker)

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