Auf der Fachkonferenz IEEE IEDM 2023 hat Micron sein sogenanntes "NVDRAM" vorgestellt - einen nicht-flüchtigen DRAM. Die Bezeichnung NVDRAM ist dabei ein Oxymoron, da DRAM für dynamischer RAM steht und somit in regelmäßigen Abständen aufgefrischt werden muss, um seine gehaltenen Daten nicht zu verlieren. Mit dem Namen möchte Micron vermitteln, dass es sich dabei um eine Speichertechnik handelt, die annähernd so schnell wie DRAM und trotzdem nicht flüchtig ist.

Die Eigenschaft der Datenhaltung erreicht Micron durch den Einsatz von ferroelektrischen Kondensatoren als Speicherelemente. Diese sind ähnlich wie die winzigen Kondensatoren in DRAM-Zellen mit Transistoren kombieniert (1T1C-Zellen). Da ferroelektrische Kondensatoren mehr Platz brauchen als die in "normalen" DRAMs, hat Micron begonnen diese in die dritte Dimension zu stapeln.

Die neuen NVDRAM-Chips sollen Daten bis zu 10 Jahre lang halten können und sich sehr oft neu beschreiben lassen. Der Temperaturbereich unter der die neuen Chips arbeiten können, soll zwischen -40 und +95 °C liegen.

(jl, hannover)

(siehe auch: Heise-News-Ticker)

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