Nach eigenen Angaben hat SK Hynix den ersten HBM3-Stapelspeicher entwickelt, welcher der "weltweit am besten performende" DRAM sein soll. Tatsächlich ist der HBM3-Speicher, mit einer Transferrate von 819 GByte/s, signifikant leistungsfähiger als die vorherigen HBM2(E)-Versionen.

Vorerst gibt es den HBM3 in zwei Ausbaustufen, die eine unterschiedliche Kapazität aufweisen: Die größere hat 24 GByte und die kleinere hat 16 GByte. Es handelt sich laut SK Hynix um einen 12Hi-Stack, dies bedeutet, dass ein Dutzend DRAM-Chips in einem Stapel geschichtet werden. Beim Vorgänger HBM2E war bei 8Hi und 16 GByte Schluss.

HBM3 liefert neben mehr Fassungsvermögen eine grob verdoppelte Geschwindigkeit, was die Datentransferrate entsprechend erhöht: Von 819 GByte/s für HBM3 spricht SK Hynix, wohingegen HBM2E nur 461 GByte/s erreicht.

Üblicherweise wird HBM-Stapelspeicher bei Beschleunigerkarten und teilweise auch bei Prozessoren eingesetzt, typische Vertreter sind beispielsweise AMDs Instinct MII00 oder Nvidias A100.

SK Hynix sagte noch nicht, wann die Serienfertigung des HBM3 starten soll, 2022 dürften jedoch erste Designs damit erscheinen.

(hv, hannover)

(siehe auch: golem.de)

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