In einem Paper erläutert ein Forschungsteam des Herstellers Kioxia (früher Toshiba Memory), wie HLC-NAND-Flash aussehen könnte, der im Vergleich zu bisherigen QLC-Bausteinen 50 Prozent mehr Daten speichert. Hierbei sollen Hexa- und Octa Level Cells zum Einsatz kommen.

Die notwendigen Spannungszustände, die mit jedem zusätzlichen Bit pro Speicherzelle verdoppeln, stellen das größte Problem dar: Während die in den ersten SSD-Generationen verwendeten Single Level Cells (SLC) nur zwei Zustände, weit verbreitete Triple Level Cells (TLC) acht und kostengünstige Quadruple Level Cells (QLC) 16 Zustände hatten, benötigen Hexa Level Cells 64 Zustände. Stickstoffkühlung zur Reduktion von Leckströmen und Signalrauschen sollen dabei helfen. Die Kühlung soll zudem die Haltbarkeit der Zellen von 100 auf immerhin 1000 Schreibzyklen erhöhen.

Im April hatte das Kioxia-Team das Forschungsprojekt im Rahmen der IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2021) vorgestellt. Einen Monat darauf folgte das entsprechende Paper.

Ergebnis der Forschungen sei es, dass die Kosten und der Aufwand einer Stickstoffkühlung langfristig die Erhöhung der Speicherdichte wert sein könnten. Die Technologie wäre jedoch bestenfalls für Rechenzentren geeignet. Die Speicherdichte wird von Herstellern derweil insbesondere durch immer feinere Fertigungsstrukturen und mehr Lagen innerhalb der Bausteine erhöht.

(jb, hannover)

(siehe auch: Heise-News-Ticker)

Hannover · EDV-Beratung · Linux · Novell · Microsoft · Seminar · IT-Consult · Netzwerk · LPIC · CLE