Intels 10-nm-Technik mit "SuperFin"-Zusatz, der die Gates der Transistoren vergrößerte, wird die letzte im klassischen Namensschema sein. Mit der neuen Nomenklatur wird der Prozess einfach Intel 7 heißen. Begründung für die Namensänderung ist, dass einzelne Nanometer-Angaben laut Intel kaum noch adäquat die Strukturgrößen beschreiben - stattdessen handele es sich eher um einen Marketingbegriff. Intels 10-nm-Fertigung soll hinsichtlich Transistordichte mit der 7-nm-Technik des Chipauftragsfertigers TSMC mithalten können.

Die neue Benennung soll vielmehr ein Maß für die Energieeffizienz sein. Während Intel 7 eine 10 bis 15 Prozent bessere Energieeffizienz bieten soll, als 10nm SuperFin, soll Intel 4 (7-nm-Prozess P1276) erneut 20 Prozenz und Intel 3 dann noch einmal 18 Prozent drauflegen. Nach-Nachfolger der für dieses Jahr erwarteten Alder-Lake-Architektur sei Meteor-Lake. Die Massenproduktion von Produkten mit 5 bis 125 Watt TDP soll hierbei in der Jahreshälfte 2022 anlaufen, sodass erst 2023 mit entsprechenden Produkten im Handel zu rechnen sei.

Mit dem Fertigungsprozess Intel 4 wird Intel erstmals EUV-Technik, welche auf extrem kurze Wellenlängen von nur 13,5 nm setzt, zurückgreifen. Intel 3 soll schließlich weitere Verbesserungen hinsichtlich Energieeffizienz und zusätzliche Chipschichten bringen. Letztere sollen auch mit EUV-Belichtung hergestellt werden.

Mit der ehemals als 2-nm-Technik erforschten, nun Intel 20A (Angström) genannten Technik sollen dann größere Neuerungen auf Transistor- und Fertigungsebene kommen. Ein Angström entspricht 0,1 Nanometer. Nachfolger von Intel 20A wird dann Intel 18A sein, welches 2025 an den Start gehen soll.

(jb, hannover)

(siehe auch: Heise-News-Ticker)

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