Die dritte SSD-Serie mit PCI-Express-4.0-Schnittstelle hat der Speicherhersteller Samsung angekündigt. Verglichen mit der PM1733 und PM1735 fällt die PM9A3 etwas langsamer aus, lesend übertrifft sie aber weiterhin alle PCIe-3.0-SSDs. Von bis zu 6,5 GByte/s sind sequenziell Übertragungsraten möglich und auf 900.000 IOPS kommen die Zufallszugriffe.

Samsung erreicht mithilfe des eigenen V-NAND-V6-Speichers (128 Speicherlagen) eine deutlich höhere Datendichte und zeigt zusammen mit Inspur eine Referenzplattform, welche die höchste Speicherkapazität in einem flachen 1U-Rack erreichen soll. Innerhalb des Open Compute Project (OCP) stellen in Zukunft beide Unternehmen das Design offen zur Verfügung.

Aneinander gereiht sind in dem 1U-Gehäuse die SSDs im "Linealformfaktor" E1.S eingebaut. Samsung will solche Modelle mit Kapazitäten von bis zu 7,68 TByte verkaufen. Mit 3,2 GByte/s und 150.000 IOPS fällt die Schreibleistung allerdings etwas geringer aus als bei den gleich großen U.2-SSDs im 2,5-Zoll-Gehäuse (3,5 GByte/s, 200.000 IOPS). Auf 3,84 TByte sind die M.2-Steckkarten beschränkt und erreichen schreibend maximal 1,8 GByte/s sowie 70.000 IOPS. Die Lese-Leistung mit 4,5 GByte/s und 550.000 IOPS fällt auch geringer als bei den Schwestermodellen aus.

(ts, hannover)

(siehe auch: Heise-News-Ticker)

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