Die sechste Generation von Samsungs Flash-Speicher V-NAND v6 mit vertikal gestapelten Zellschichten befindet sich in der Serienfertigung: Auf dem Flash Memory Summit 2019 im kalifornischen Santa Clara hat Samsung den V-NAND v6 vorgestellt. Für OEMs wird schon eine erste SATA-SSD mit 250 GByte Fassungsvermögen produziert.

Eine Kapazität von 256 GBit und 136 Layer hat der V-NAND v6, später im Jahr sollen auch 512-GBit-Chips folgen. Samsung spricht von einer höheren Ausbeute, einer gestiegenen Geschwindigkeit und einer besseren Effizienz gegenüber dem V-NAND v5 von 2018.

Hinsichtlich der Leistung wird von einer mehr als 10 Prozent höheren Geschwindigkeit und einer um mehr als 15 Prozent besseren Energieeffizienz verglichen mit dem bisherigen V-NAND v5 bei Samsung gesprochen. Für die Chips mit 512 GBit sieht Samsung ebenfalls drei Bit pro Zelle vor. In der Pressemitteilung ist von einer QLC-Variante (Quad Level Cell) keine Rede. Allerdings sollen in Pyeongtaek in Südkorea nächstes Jahr auch Dies mit größerer Kapazität produziert werden.

(hv, hannover)

(siehe auch golem.de:)

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