Die Weiterentwicklung von klassischen NAND-Zellen wurde von Toshiba beendet. Derzeit sehe das Unternehmen keinen Sinn darin, herkömmliche Flash-Chips mit kleineren Strukturbreiten als derzeit 15 nm zu fertigen, gab Toshiba gegenüber dem US-Magazin ComputerWorld an. Auch andere Firmen und Analysten gaben an, dass planare NAND-Chips bei 15 nm wohl enden werden.

Es sei extrem aufwändig, die Strukturen weiter zu verkleinern und dem Aufwand stehe dafür kaum Nutzen entgegen, so Toshiba. Weitaus höhere Steigerungsraten bei der Packungsdichte versprechen NAND-Speicher mit 3D-Strukturen in Charge-Trap-Technik gegenüber klassischen 2D-Chips in Floating-Gate-Bauweise. Die 3D-Zellen halten außerdem länger durch und sind schneller beschreibbar. Daher wurde entschlossen, die angedachte Portierung von 2D-NAND auf 13 nm zu beenden.

Unter der Bezeichnung 3D-V-NAND stellt Samsung bereits 24- und 32-lagige Flash-Chips her, welche unter anderem in der SSD 850 Pro als MLC (Multi Level Cell, 2 Bit pro Zelle) und in der 850 EVO als TLC (Triple Level Cell, 3 Bit pro Zelle) eingesetzt werden.

Auch Micron forsche nicht mehr an 2D-NAND und sie konzentrieren sich stattdessen auf 3D-Strukturen, sagte das Unternehmen gegenüber ComputerWorld. Neben 3D-NAND hat Micron gemeinsam mit Intel vor kurzem die Flash-Alternative 3D XPoint vorgestellt, deren Eigenschaften sich zwischen DRAM und NAND einordnen lassen.

(ts, hannover)

(siehe auch heise-News-Ticker:)

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