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Die Halbleiterbranche sucht seit Jahren nach technisch beherrschbaren
und wirtschaftlich attraktiven Nachfolgern für NAND-Flash-Speicher.
Intel und Micron stellten gestern ihre Neuheit, nämlich 3D
XPoint (wohl Crosspoint gesprochen), vor: Speicherchips mit
einer räumlichen Gitterstruktur, bei der die eigentlichen Informationsspeicher
an deren Kreuzungspunkten sitzen.
Die neuen Speicherchips sollen besonders hohe Packungsdichte ermöglichen,
da sie ohne Transistoren auskommen. Von acht- bis zehnmal so vielen
Bit pro Quadratzentimeter wie bei aktuellen DRAM-Chips spricht Intel;
allerdings weisen aktuelle TLC-NAND-Flashes auch eine viel höhere
Packungsdichte auf als DRAM.
Die Entwicklungspartner Intel
und Micron
wollen erste 128-Gigabit-Chips noch in diesem Jahr in Musterstückzahlen
ausliefern. Diese 3D-XPoint-Chips besitzen zwei Funktionslagen,
künftige könnten deutlich mehr haben. Zum Vergleich: Samsung
fertigt derzeit, genau wie Intel und Micron ihre eigenen 3D-NAND-Flashes,
3D-V-NAND mit 32 Lagen.
Bis zu 1000-mal schneller als NAND-Flash und als NVMe-Speichermedium
via PCI Express noch 100-mal schneller als aktuelle NVMe-SSDs soll
3D XPoint arbeiten können. Zusätzlich sollen sich die
einzelnen Zellen aber auch bis zu 1000-mal häufiger als aktuelle
NAND-Flash-Zellen überschreiben lassen.
3D XPoint ist damit für Aufgaben wie Online-Deduplizierung
in Storage-Systemen, bei denen derzeit entweder DRAM mit hohem Energiebedarf
und limitierter Kapazität oder sehr teure Flash-Speichermedien
zum Einsatz kommen, prädestiniert. IBM nennt solchen Speicher
Storage-Class Memory (SCM), der quasi zwischen DRAM und SSDs in
der Speicher-Hierarchie steht.
Intel und Micron haben bisher keine konkreten Speichermedien mit
3D XPoint, etwa PCIe-/NVMe-SSDs, angekündigt und es sind wohl
vor 2016 auch keine zu erwarten. Außerdem fällt auf,
dass die Entwicklungspartner Begriffe wie Memristor oder ReRAM vermieden
haben. Die genaue Technik hinter 3D XPoint wollen sie bisher anscheinend
nicht erklären.
(mt, hannover)
(siehe auch heise-News-Ticker:)
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