Der taiwanische Auftragshersteller TSMC zeigt sich, nachdem Intel mit der 10-nm-Herstellungstechnik zurückgerudert ist und die ersten darin gefertigten Chips nun erst fürs zweite Quartal 2017 avisiert, optimistisch schneller zu sein. So will TSMC mit der Massenproduktion in 10-nm-FinFet-Technik (CLN10) Schon Anfang 2017 starten. Bereits Ende 2016 soll die sogenannte "Risk Produktion" also die Einlauf- und Testphase beginnen.

TSMC Forschungsdirektor Burn J. Lin hat schon im vorigen Jahr klar gestellt welche Lithografie TSMC bei 10 nm verwenden will: optische Lithografie mit 193-nm-ArF-Laser und Immersionstechnik. Bei angenommenen 125 Watt Lichtleistung ist diese nach internen TSMC-Benchmarks deutlich günstiger als EUV, was sogar noch bei dem für nur ein Jahr später geplanten 7-nm-Prozess gilt. EUV wäre hier erst bei 250 Watt etwa gleichwertig, wo sich dann aber schon eher das direkte Beschreiben mit Multiple E-Beam (MEB) lohnt.

Das meiste Geld wird in den nächsten beiden Jahren, so TSMC im Bilanzbericht, noch, in inzwischen sechs verschiedenen Prozessvariationen, mit der gut eingefahren 28-nm-Technik verdient. Gegenüber 2014 soll sich der Anteil von 20 nm in diesem Jahr verdoppeln. Bereits im zweiten Quartal startete die Volumenproduktion in 16-nm-FinFET und jetzt beginnt die Auslieferung. Die Produktion soll nun außerdem rapide hochgefahren werden.

(mt, hannover)

(siehe auch heise-News-Ticker:)

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