Intel und Micron haben 3D-NAND-Chips für SSDs angekündigt. Dabei sind bis zu 48 GByte Kapazität pro Flash-Die möglich. Das entspricht bei M.2-Modulen einer Kapazität von bis zu 3,5 TByte und bei 2,5-Zoll-SSDs bis zu 10 TByte. Intel und Micron realisieren dies durch eine Strukturbreite von 16 Nanometern und einer dreidimensionalen Anordnung der Flash-Zellen in 32 Schichten.

Verglichen mit den älteren Flash-Speichern ergibt sich beim Triple-Level-Flash eine Verdreifachung der Kapazität pro Die. Bei Zellen mit zwei Bit sind noch 32 GByte Kapazität möglich.

Laut Intel lassen sich 16 der MLC-Flash-Dies in einem Chipgehäuse stapeln. Fünf dieser Pakte mit je 768 GByte ergeben 3,8 TByte auf einem M.2-Modul. Abzüglich der üblichen Reserve-Bereiche einer SSD ergibt sich die von Intel genannte Kapazität von 3,5 TByte.

Die Unternehmen machten noch keine konkreten Angaben zu den möglichen Übertragungsraten der neuen Flash-Chips. Im Jahr 2016 rechnen die Unternehmen mit den ersten SSDs auf Basis des 3D-NAND. Die Massenfertigung soll Ende 2015 anlaufen.

(kt, hannover)

(siehe auch heise-News-Ticker:)

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