Flash-Speicherchips, die aus mehreren Lagen mit vertikal orientierten Speicherzellen bestehen, bezeichnet Samsung als 3D-V-NAND.

Der NAND-Flash-Marktführer fertigt bisher 24- und 32-Lagen-Versionen mit Zwei-Bit-Zellen, die z.B. in den NVMe-/PCIe-SSDs SM1715 und XS1715 sowie in der SSD 850 Pro verbaut sind. Die Serienfertigung 3-Bit-speichernder 3D-V-NAND-Chips, die günstiger sind als herkömmliche, ist bereits angelaufen. Bei Samsung heißt das Verfahren 3-Bit-Multi-Level-Cell (MLC), alternativ heißt es Triple Level Cell (TLC).

Da 3-Bit-3D-V-NAND-Chips bis zu 128 GBit (16 GByte) fassen, reichen 8 Chips oder weniger Stack-Chips bereits für eine 128-GByte-SSD.

Bei 40 GByte täglich geschriebenen Daten (150 TByte Written, TBW) gewährt Samsung für die SSD 850 Pro 10 Jahre Garantie. Anders als planare TLC-NAND-Flashes sollen die vertikalen 3-Bit-Zellen robuster sein.

(nd, hannover)

(siehe auch heise-News-Ticker:)

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