Die NAND-Flash-Hersteller wollen künftig durch einen neuen inneren Aufbau der Speicherzellen höhere Speicherkapazität pro Chip erreichen: Sie setzen nun dreidimensionale Strukturen, etwa eine vertikale Anordnung, statt auf planare Architektur (2D). Samsung fertigt monolithische, 24 Funktionslagen übereinander besitzende, 3D-V-NAND-Chips. Die einzelne Zelle darf wieder größer ausfallen, da das Stapeln Siliziumfläche spart, was der Robustheit zu Gute kommen kann. Also der der Geschwindigkeit beim Schreiben und Lesen oder Zahl der Schreibzyklen.

Samsung kündigte bereits erste SSDs mit 3D V-NAND an und fertigt sie auch schon, hierzulande kann man sie im Einzelhandel aber nicht kaufen. Kürzlich wurde die neue Chip-Fab in der chinesischen Stadt Xi'an in Betrieb genommen und fertigt 3D-V-NAND-Chips.

Toshiba und Kooperationspartner Sandisk sind noch nicht soweit: Sie reißen im japanischen Yokkaichi die ältere Fab 2 ab, um am gleichen Ort ein neues Gebäude zu errichten und dort dann bis 2016 Fertigungsanlagen für 3D-NAND in Betrieb zu nehmen.

Samsungs erste 3D-Vertical-NAND-Flashes besitzen 24 Lagen und speichern 128 Gigabit (16 GByte). Samsung stapelt diese Chips wiederum in Bauelementen mit 32, 64 oder gar 128 GByte Kapazität. Bisher unklar ist, in welcher Enterprise-SSD die 3D-V-NAND-Chips stecken. Auf der Samsung-Webseite finden sich die SATA-SSDs PM843, SM843 Pro, SM843T, SV843, PM853T sowie die SAS-Typen SM1623, SM1625 und SM1635 – aber laut den dortigen Angaben ist keine davon mit 3D-V-NAND bestückt.

(mt, hannover)

(siehe auch Heise-News-Ticker :)

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