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Seit zehn Jahren gelten Kohlenstoffnanoröhrchen als potenzielles
Hochleistungsmaterial für elektronische Anwendungen. Mechanisch
sind sie äußerst belastbar, können sowohl als hochwertige
Leiter als auch als Halbleiter dienen und ermöglichen im Prinzip
Transistoren, die wesentlich energieeffizienter sind als ihre herkömmlichen
Gegenstücke aus Silizium. Sie lassen sich, in eine Lösung
gebracht, zudem bei niedrigen Temperaturen als elektronische Tinte
verarbeiten.
Nun haben Forscher der University of California in Berkeley ein
Verfahren entwickelt, mit dem sie große Flächen von leistungsfähigen
Transistoren auf Plastikfolien für neuartige, wandgroße
Displays herstellen wollen, berichtet
Technology Review in seiner Online-Ausgabe.
Die Leistungsfähigkeit von gedruckten Nanotube-Transistoren
sei bisher aber noch zu gering gewesen, sagt Berkeley-Informatiker
Ali Javey,
der die Arbeit an dem neuen Verfahren geleitet hat. Nun ist es seiner
Gruppe gelungen, eine Nanotube-Transistorfolie zu drucken, die erstmals
eine sehr hohe Leistung bringt. Ein Nanotube-Gemisch verwendet sie,
welches zu 99 Prozent aus der halbleitenden Variante der Röhrenmoleküle
besteht.
Im Journal Nano Letters haben die Forscher kürzlich das Verfahren
vorgestellt: Mit dem sogenannten Rotationstiefdruck arbeiten sie.
Plastikfolien werden in der Laborversion auf einen Zylinder gespannt
und auf einer glatten Oberfläche abgerollt, deren Vertiefungen
in einem bestimmten Muster mit der elektronischen Tinte gefüllt
sind. In der nächsten Entwicklungsstufe soll diese Maske auf
einer weiteren Rolle montiert werden. Die Folie könnte dann,
wie im Rotationstiefdruck üblich, durch eine ganze Druckstraße
geführt werden.
Die Berkeley-Forscher wollen zunächst die Druckmaske verbessern,
um eine gleichmäßigere Anordnung von Transistoren zu
erreichen und deren Leistungsfähigkeit noch weiter zu steigern.
Komplexere Muster aus Schaltkreisen, die auch Sensoren und andere
Display-Bauteile enthalten, wollen sie danach angehen. Dabei zeigen
sich die Transistoren sehr robust: Die Ingenieure konnten auch bei
einer Krümmung der Folie mit einem Radius von nur einem Millimeter
keine nennenswerte Verschlechterung der Transistor-Leistung feststellen.
(ts, hannover)
(siehe auch Heise
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