Schon seit Jahren ist Samsung Weltmarktführer sowohl bei DDR/SDRAM-Speicherchips als auch bei NAND-Flash. Jetzt weitet Samsung seine Produktionskapazität mit der "Line-16" in Hwaseong, südlich von Seoul, weiter aus. Die Produktion von DDR3-SDRAMs läuft schon seit August mit Strukturbreiten der "20-Nanometer-Klasse", gleichzeitig wird die Fertigung von NAND-Flash-Chips hochgefahren. Auf die nichtflüchtigen Flash-Speicher, die in Tablets, Smartphones, Solid-State Disks, USB-Sticks und Speicherkarten stecken, sollen bis zu 10.000 Wafer pro Monat entfallen.

Die geplante Fertigungskapazität des umgerechnet rund 7,6 Milliarden Euro teuren Werks soll im Laufe der Zeit auf maximal 200.000 Wafer pro Monat ausgebaut werden. Samsung will bis zum Jahresende auch mit der Produktion von 4-Gigabit-Chips der 20-Nanometer-Klasse beginnen. Aus 4-GBit-Chips lassen sich ungepufferte DIMMs und SO-DIMMs mit bis zu 8 GByte Kapazität aufbauen sowie QR-RDIMMs oder LR-DIMMs mit bis zu 32 GByte Kapazität.

(ez, hannover)

(siehe auch Heise News-Ticker :)

Hannover · EDV-Beratung · Linux · Novell · Microsoft · Seminar · IT-Consult · Netzwerk · LPIC · CLE